次世代半導体の国産化を目指すﾗﾋﾟﾀﾞｽ(東京)は18日､回路線幅2ﾅﾉﾒｰﾄﾙ(ﾅﾉは10億分の1)の半導体の試作に成功したと発表した｡工場のある北海道千歳市内で､報道陣に試作品を公開した｡小池淳義社長は記者会見し､目標とする2027年までの量産に向け｢大きなﾏｲﾙｽﾄｰﾝ(節目)を越えた｣と述べた｡ 試作したのは､電流を制御する｢ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ｣という部品｡小池氏は成功を｢考えられないｽﾋﾟｰﾄﾞだ｣と評価した上で､｢(顧客に)期待を持っていただけると確信している｣と語った｡同席した鈴木直道北海道知事は｢きょうが歴史の大きな1ﾍﾟｰｼﾞになる｣と強調した｡